据韩媒etnews今日报道，百货三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备

全部【小结】本文通过InN纳米线改性隔膜抑制穿梭效应来提高锂硫电池的电化学性能。图四InN对多硫化物催化转换的性能 （a，玩意b）具有InN和SuperP电极的对称电池的CV曲线（a）和EIS曲线（b）。

百货（f）InN纳米线的选定区域电子衍射图。毫无疑问，全部这种具有双功能的金属氮化物改性隔膜的设计为实现高稳定性的Li-S电池提供了新的见解。【成果简介】近日，玩意南开大学牛志强研究员、玩意王一菁研究员联合清华大学张强教授（共同通讯作者）通过隔膜改性将氮化铟（InN）纳米线引入到Li-S电池中。

百货InN的铟阳离子和富电子氮原子通过强的化学键合作用捕获生成的多硫化物。与此同时，全部InN表面的快速电子转移提高了多硫化物的动力学转化过程。

玩意（c）电池在不同电流密度下的极化电势。

百货（b-f）不同充电/放电状态下的InN改性隔膜表面的SEM图像2015年9月26日-10月7日，全部用户订购100M广电小米宽带套餐满2年，即可免费赠送小米电视机一台。

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